中信科移动通信技术有限公司申请了一项名为“NandFlash芯片数据存储方法及设备”的专利，公开号为CN11731491A，申请日期为2023年8月。

这项专利提供了一种Nand Flash芯片数据存储方法和设备包括以下步骤：确定芯片中每个块的第一次数据写入时间距离当前时间和每个块的数据错误次数；将时间超过第一预设阈值或数据错误次数超过第二预设阈值的块作为第一类目标块；选择芯片中除第一类目标块外的新数据或第一类目标块中的数据。

通过对Nand进行估计 Flash芯片每个块中的数据是否存在劣化风险和潜在风险，ARM处理器避免将影响设备启动的核心启动数据或其他数据写入高风险块，以实现Nand 高可靠性的Flash芯片数据存储。

该专利的优点是通过估计每个块的数据风险，实现了高可靠性的数据存储，提高了设备的稳定性和可靠性。

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