近日，芯塔电子自主研发的1200V/80mΩTO-263-7封装SiC MOSFET设备成功获得第三方权威检测机构(广播电视计量)AEC-Q101全套规级可靠性认证，是继之前通过测试认证的650V/20A TO-252-3封装SiC SBD产品后，该认证再次成功通过。这一重要里程碑为芯塔电子拓展新能源汽车市场奠定了坚实的基础。

芯塔电子1200V/80mmΩSiC MOSFET车规级认证证书

AEC-Q作为国际通用汽车规级电子元器件测试规范，已成为汽车元器件质量和可靠性的标志，也是打开汽车供应链的垫脚石和试金石。本认证涉及高温偏差、温度循环、高压烹饪、高加速应力、高温湿度偏差等18项测试，每项设计为汽车分离器件可能遇到的环境，验证电子元件能否满足各种严格的应用条件，能够承受长期的高能冲击和高频开关。

芯塔电子1200V/80mmΩTO-263-7包装设备及晶圆

1200V/80m芯塔电子Ω SiC MOSFET通过了OBC企业的测试，进入了批量引进阶段。这一结果显示了芯塔电子在碳化硅设备研发和制造方面的强大实力，也标志着芯塔电子在中国领先的碳化硅设备和应用品牌供应商中占有一席之地。

随着新能源汽车800V高压平台的大规模推出，SIC设备凭借自身的性能优势进入了黄金轨道。新能源汽车场景推出了一系列SIC应用程序，帮助新能源汽车公司实现超快速充电，降低系统成本，ARM处理器增加范围，实现轻量化。

图一 基于Si MOSFET6.6kw OBC拓扑

电子SiC的芯塔 MOSFET拓扑方案与传统的Sisi相比 MOSFET方案效率更高，损失更低。前一级DC/DC采用单相Totem Pole PFC，后一级DC/DC采用LLC，使SiC MOSFET能更好地支持高压电池充电。此外，SiC MOSFET二极管的反向恢复损失远低于Si MOSFET，OBC非常适合V2G功能。

图二 基于SiC MOSFET6.6kw OBC拓扑

本认证的成功充分反映了芯塔电子碳化硅系列产品在可靠性方面的优异性能。这使得芯塔电子成为中国为数不多的碳化硅电力设备产品之一，为下游汽车公司和T1客户的选择提供了权威的参考。与此同时，这个里程碑也标志着芯塔电子在碳化硅领域的技术实力再次得到了肯定和认可。

未来，芯塔电子将继续关注可再生能源、工业应用和新能源汽车领域，继续为客户创造高性能、高可靠性的产品和创新的应用方案的价值。我们相信，随着新能源汽车市场的不断发展和增长，芯塔电子的碳化硅系列产品将在未来的竞争中发挥更重要的作用。

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