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采用2000V SiC M1H芯片的

62mm半桥模块，最大规格2.6mΩ

2000V的62mm CoolSiC™ MOSFET半桥模块已上市，有2.6mΩ和3.5mΩ两种规格。由于M1H芯片技术的应用，模块在模块中 VGS(th)、RDS(on)提高了漂移和栅极驱动电压窗的性能。

这些模块还提供预涂导热界面材料（TIM）版本。

相关产品：

▪️ FF3MR20KM(P) 2.6mΩ，ARM架构，芯片，集成电路

2000V 半桥模块62mm

▪️ FF4MR20KM(P) 3.5mΩ，

2000V 半桥模块62mm

(P)预涂导热界面材料（TIM）版本

产品特点

集成二极管优化了热阻

防潮性能最高

优良的栅极氧化层可靠性

抗宇宙射线能力强

应用价值

根据应用恶劣条件优化优化

电压过冲过低

导通损失最小

高速开关损耗极低

对称模块设计实现对称上下桥臂开关行为

标准模块包装技术确保可靠性

62mm高产量生产线生产

竞争优势

成熟的62mm包装产品通过碳化硅扩展，以满足快速开关和低损耗的要求

电流密度最高，防潮性能强

应用领域

储能系统

电动汽车充电

光伏逆变器

牵引

UPS

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