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新品 采用2000V SiC M1H芯片的 62mm半桥模块，最大规格2.6mΩ 2000V的62mm CoolSiC™ MOSFET半桥模块现已上市，有2.6mΩ和3.5mΩ两种规格。由于采用了M1H芯片技术，模块在 VGS(th)、RDS(on)漂移和栅极驱动电压窗口方面性能得到了改善。 这些模块还提供预涂导热界面材料（TIM）版本。 相关产品： ▪️ FF3MR20KM1H(P) 2.6mΩ， 2000V 62mm半桥模块 ▪️ FF4MR20KM1H(P) 3.5mΩ， 2000V 6